据报道，美光公司计划率先支持佳能的纳米印刷技术，从而进一步降低生产DRAM存储芯片的单层成本。美光在近日演讲中表示，由于光学系统本身性质，DRAM层的图案很难用光学光刻技术进行印刷，而纳米打印方式可以用更精细的方式打印出来，且鉴于纳米印刷技术应用成本是沉浸式光刻技术的五分之一，因此是非常不错的解决方案。佳能于2023年10月公布FPA-1200NZ2C纳米压印光刻(NIL)半导体设备，预计最快将于今年出货，将为芯片生产开辟了一条新的途径。此前，内存大厂SK海力士也引入了佳能纳米压印机，用于进行3D NAND的生产测试。

　　纳米压印是一种微纳加工技术，它采用传统机械模具微复型原理，能够代替传统且复杂的光学光刻技术。相较于目前已商用化的EUV光刻技术，纳米压印技术可大幅减少耗能，并降低设备成本。另外，纳米压印设备还可以使得芯片制造商降低对于ASML的EUV光刻机的依赖，使得台积电、三星等晶圆代工厂可以有第二个路线选择，可以更灵活地为客户生产小批量芯片。分析师认为，纳米压印技术在特定领域有替代传统光学光刻的可能，随着下游应用领域扩大以及该技术渗透率提升，该市场有望持续成长。